In Schaltplänen und bei der Schaltungsanalyse gibt es seit langem bestehende Konventionen bezüglich der Benennung von Spannungen, Strömen und einiger Komponenten. Bei der Analyse eines bipolaren Sperrschichttransistors, z. B. in einer gemeinsamen Emitterkonfiguration, kann die Gleichspannung am Kollektor, Emitter und an der Basis (in Bezug auf Masse) als VC, VE bzw. VB geschrieben werden. Die zu diesen Transistoranschlüssen gehörenden Widerstände können mit RC, RE und RB bezeichnet werden. Um die Gleichspannungen zu erzeugen, wurde die am weitesten entfernte Spannung, jenseits dieser Widerstände oder anderer Komponenten, falls vorhanden, oft als VCC, VEE und VBB bezeichnet. In der Praxis beziehen sich VCC und VEE dann auf die Plus- bzw. Minus-Versorgungsleitungen in gängigen NPN-Schaltungen. In äquivalenten PNP-Schaltungen wäre VCC negativ und VEE positiv.
Für Feldeffekttransistoren mit ihren Drain-, Source- und Gate-Anschlüssen wurden genau analoge Konventionen angewendet. Dies führte dazu, dass VD und VS in den gebräuchlicheren Schaltungskonfigurationen durch Versorgungsspannungen mit der Bezeichnung VDD und VSS gebildet wurden. Äquivalent zum Unterschied zwischen NPN- und PNP-Bipolaren ist VDD bei n-Kanal-FETs und MOSFETs positiv gegenüber VSS und negativ bei Schaltungen, die auf p-Kanal-FETs und MOSFETs basieren.
Obwohl immer noch relativ gebräuchlich, sind diese gerätespezifischen Stromversorgungsbezeichnungen in Schaltungen, die eine Mischung aus bipolaren und FET-Elementen verwenden, oder in solchen, die entweder sowohl NPN- und PNP-Transistoren oder sowohl n- als auch p-Kanal-FETs einsetzen, nur noch bedingt relevant. Letzterer Fall ist in modernen Chips, die oft auf CMOS-Technologie basieren, sehr häufig anzutreffen, wobei das C für komplementär steht, was bedeutet, dass komplementäre Paare von n- und p-Kanal-Bauelementen durchweg üblich sind.
Diese Namenskonventionen waren Teil eines größeren Bildes, bei dem, um mit den Beispielen für Bipolartransistoren fortzufahren, obwohl der FET völlig analog bleibt, Gleichstrom- oder Vorspannungsströme in oder aus jedem Anschluss mit IC, IE und IB geschrieben werden können. Neben den Gleichstrom- oder Vorspannungsbedingungen verarbeiten viele Transistorschaltungen auch ein kleineres Audio-, Video- oder Hochfrequenzsignal, das der Vorspannung an den Anschlüssen überlagert ist. Diese Signalpegel an den Klemmen werden mit Kleinbuchstaben und tiefgestellten Ziffern bezeichnet, je nach Bedarf als Spitze-Spitze oder RMS. Wir sehen also vc, ve und vb, sowie ic, ie und ib. Unter Verwendung dieser Konventionen stellt in einem Emitterverstärker das Verhältnis vc/vb die Kleinsignal-Spannungsverstärkung am Transistor dar und vc/ib den Kleinsignal-Transistorwiderstand, von dem sich der Name Transistor durch Kontraktion ableitet. In dieser Konvention beziehen sich vi und vo normalerweise auf die externen Eingangs- und Ausgangsspannungen der Schaltung oder Stufe.
Ähnliche Konventionen wurden auf Schaltungen mit Vakuumröhren oder thermionischen Röhren angewandt, wie sie außerhalb der USA bekannt waren. Daher beziehen sich VP, VK und VG in Analysen von Vakuumtrioden-, -tetroden- und -pentodenschaltungen auf Platten- (oder Anoden- außerhalb der USA), Kathoden- (beachten Sie K, nicht C) und Gitterspannungen.