Em diagramas de circuitos e análise de circuitos, existem convenções de longa data relativas à nomeação de tensões, correntes e alguns componentes. Na análise de um transistor de junção bipolar, por exemplo numa configuração comum de emissor, a tensão DC no colector, emissor, e base (em relação à terra) pode ser escrita como VC, VE, e VB, respectivamente. As resistências associadas a estes terminais transistor podem ser designadas RC, RE, e RB. A fim de criar as tensões DC, a tensão mais distante, para além destas resistências ou outros componentes se presentes, era frequentemente referida como VCC, VEE, e VBB. Na prática, VCC e VEE referem-se então às linhas de alimentação mais e menos, respectivamente, nos circuitos NPN comuns. Note-se que VCC seria negativo e VEE seria positivo em circuitos PNP equivalentes.
Convenções exactamente análogas foram aplicadas a transístores de efeito de campo com os seus terminais de drenagem, fonte e porta. Isto levou a que VD e VS fossem criados por tensões de alimentação designadas VDD e VSS nas configurações de circuito mais comuns. Em equivalência à diferença entre bipolares NPN e PNP, o VDD é positivo em relação ao VSS no caso de FETs e MOSFETs de n canais e negativo para circuitos baseados em FETs e MOSFETs de p-canal.
P>Embora ainda em uso relativamente comum, há uma relevância limitada destas designações de fontes de alimentação específicas de dispositivos em circuitos que utilizam uma mistura de elementos bipolares e FETs, ou naqueles que empregam transistores NPN e PNP ou FETs de n-canal e p-canal. Este último caso é muito comum nos chips modernos, que são frequentemente baseados na tecnologia CMOS, onde o C representa o significado complementar de que pares complementares de dispositivos de n-canal e p são comuns ao longo de todo.
Estas convenções de nomenclatura fizeram parte de um quadro mais amplo onde, para continuar com exemplos de transistores bipolares, embora o FET permaneça inteiramente análogo, as correntes DC ou de polarização para dentro ou para fora de cada terminal podem ser escritas IC, IE, e IB. Para além das condições DC ou bias, muitos circuitos de transístores também processam um sinal menor de áudio, vídeo, ou rádio-frequência que se sobrepõe ao bias nos terminais. As letras minúsculas e subscrições são utilizadas para se referir a estes níveis de sinal nos terminais, quer de pico a pico ou RMS, conforme necessário. Assim, vemos vc, ve, e vb, assim como ic, ou seja, e ib. Utilizando estas convenções, num amplificador emissor comum, a razão vc/vb representa o ganho de tensão de pequeno sinal no transistor e vc/ib a trans-resistência de pequeno sinal da qual o nome transistor é derivado por contracção. Nesta convenção, vi e vo normalmente referem-se às tensões externas de entrada e saída do circuito ou estágio.
Convenções semelhantes foram aplicadas a circuitos que envolvem tubos de vácuo ou válvulas termiónicas como eram conhecidos fora dos E.U.A. Portanto, vemos VP, VK, e VG referindo-se a placas (ou ânodo fora dos E.U.A.), cátodo (nota K, não C) e tensões de rede em análises de triode de vácuo, tetrode, e circuitos de pentode.