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Clavija de alimentación del CI

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En los diagramas de circuitos y en el análisis de los mismos, existen convenciones de larga data sobre la denominación de las tensiones, las corrientes y algunos componentes. En el análisis de un transistor de unión bipolar, por ejemplo, en una configuración de emisor común, el voltaje de CC en el colector, el emisor y la base (con respecto a tierra) puede escribirse como VC, VE y VB, respectivamente. Las resistencias asociadas a estos terminales del transistor pueden designarse RC, RE y RB. Para crear las tensiones continuas, la tensión más lejana, más allá de estas resistencias u otros componentes si están presentes, a menudo se denominaba VCC, VEE y VBB. En la práctica, VCC y VEE se refieren a las líneas de alimentación positiva y negativa respectivamente en los circuitos NPN comunes. Obsérvese que VCC sería negativa y VEE sería positiva en circuitos PNP equivalentes.

Convenciones exactamente análogas se aplicaron a los transistores de efecto de campo con sus terminales de drenaje, fuente y puerta. Esto llevó a que VD y VS fueran creados por tensiones de alimentación designadas VDD y VSS en las configuraciones de circuitos más comunes. En equivalencia a la diferencia entre bipolares NPN y PNP, VDD es positiva con respecto a VSS en el caso de los FETs y MOSFETs de canal n y negativa para los circuitos basados en FETs y MOSFETs de canal p.

Aunque todavía son de uso relativamente común, la relevancia de estas designaciones de alimentación específicas de cada dispositivo es limitada en los circuitos que utilizan una mezcla de elementos bipolares y FET, o en los que emplean tanto transistores NPN como PNP o FETs de canal n y p. Este último caso es muy común en los chips modernos, que a menudo se basan en la tecnología CMOS, donde la C significa complementario, lo que significa que los pares complementarios de dispositivos de canal n y p son comunes en todo.

Estas convenciones de nomenclatura formaban parte de un panorama más amplio en el que, para continuar con los ejemplos de transistores bipolares aunque el FET sigue siendo totalmente análogo, las corrientes de CC o de polarización que entran o salen de cada terminal pueden escribirse IC, IE e IB. Aparte de las condiciones de CC o de polarización, muchos circuitos de transistores también procesan una señal más pequeña de audio, vídeo o radiofrecuencia que se superpone a la polarización en los terminales. Las letras minúsculas y los subíndices se utilizan para referirse a estos niveles de señal en los terminales, ya sea pico a pico o RMS, según sea necesario. Así, vemos vc, ve y vb, así como ic, ie e ib. Utilizando estas convenciones, en un amplificador de emisor común, la relación vc/vb representa la ganancia de tensión de pequeña señal en el transistor y vc/ib la trans-resistencia de pequeña señal de la que se deriva el nombre de transistor por contracción. En esta convención, vi y vo suelen referirse a las tensiones externas de entrada y salida del circuito o etapa.

Se aplicaron convenciones similares a los circuitos que incluían tubos de vacío o válvulas termoiónicas, tal y como se conocían fuera de EE.UU. Por lo tanto, vemos que VP, VK y VG se refieren a las tensiones de placa (o ánodo fuera de EE.UU.), cátodo (nótese la K, no la C) y rejilla en los análisis de los circuitos triodo, tetrodo y pentodo de vacío.

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